[18p-Z23-1~16] 13.6 ナノ構造・量子現象・ナノ量子デバイス

[18p-Z23-7] Si/CaF₂ p型三重障壁共鳴トンネルダイオードの室温微分負性抵抗特性

〇佐藤 穂波¹、渡辺 正裕¹、熊谷 佳郎¹、冨澤 勘太¹、金子 拓海¹ (1.東工大工学院)

キーワード：共鳴トンネルダイオード

Si/ CaF₂ヘテロ構造は， Si基板上に数原子層厚の積層エピタキシャル成長が可能，極薄膜の積層構造における相互拡散の抑制に有利である。この特徴を活かし，応用上有意な電流密度を確保しつつ，室温で大きなピーク対バレー電流比を有する共鳴トンネルダイオード(RTD)の動作実証を行い，ホール注入型のSi/CaF₂三重障壁構造RTDにおいて，室温で複数の電流ピークを有する微分負性抵抗特性を観測するとともに，そのシミュレーションモデルを検討した。