[18p-Z24-1~14] 13.4 Si processing /Si based thin film / MEMS / Equipment technology

△ [18p-Z24-1] Evaluation of crystal defects by Si trench processing using Raman and photoluminescence spectroscopy

〇Masato Koharada¹, Yuta Satake¹, Jun Yoshigiwa², Koichiro Saga², Hayato Iwamoto², Longxiang Men¹, Naomi Sawamoto^1,3, Ryo Yokogawa^1,3, Atsushi Ogura^1,3 (1.Meiji Univ., 2.Sony Semiconductor Solutions Corp., 3.Meiji Renewable Energy Lab.)

Keywords:Raman spectroscopy, Photoluminescence spectroscopy

FinFETの形成工程において、Siをトレンチ状に加工するが、トレンチ側壁にはゲート絶縁膜を形成するため、Siの側壁の加工ダメージの低減が必要とされている。また、トレンチ加工プロセスによって生じる欠陥を検出し、定量的に評価する手法の確立が求められている。そこで本研究では、Siトレンチ構造に対し、高空間分解能を有するラマン分光法およびフォトルミネッセンス(PL)法を用いてSi結晶の欠陥評価を試みた。