[18p-Z24-1~14] 13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・MEMS・装置技術

[18p-Z24-6] 大気圧マイクロ熱プラズマジェット結晶化P型Ge膜の電気特性評価

〇赤塚 祐允¹、佐藤 拓磨¹、花房 宏明¹、東 清一郎¹ (1.広大院先端研)

キーワード：ゲルマニウム、薄膜結晶化

我々は、石英基板上アモルファスゲルマニウム(a-Ge)膜への大気圧マイクロ熱プラズマジェット(µ-TPJ)照射により、高結晶性Ge膜の形成を報告してきた。これまでに非晶質Ge (a-Ge)の結晶化において、µ-TPJ照射時の投入電力(P)、掃引速度(v)の変調により異なる結晶化状態を観測し、粒径が30 µmとなる高速横方向結晶化(HSLC)観測している。本研究では、更なる高移動度Ge薄膜を目指し、µ-TPJ前面からの距離(d)がa-Ge膜結晶化に与える影響を調査した。