Characteristics of Millisecond Solid Phase Crystallization of Phosphorus Doped Silicon Film Annealed by Thermal-Plasma-Jet Irradiation

講演情報

一般セッション(口頭講演)

13 半導体 » 13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・MEMS・装置技術

2021年3月18日(木) 13:30 〜 17:15 Z24 (Z24)

東清一郎(広島大)、岡田竜弥(琉球大)

15:00 〜 15:15

〇(D)Nguyen ThiKhanh Hoa¹、Hiroaki Hanafusa¹、Seiichiro Higashi¹ (1.Hiroshima Univ.)

キーワード：millisecond solid phase crystallization, micro thermal-plasma-jet