The 68th JSAP Spring Meeting 2021

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Oral presentation

16 Amorphous and Microcrystalline Materials » 16.3 Bulk, thin-film and other silicon-based solar cells

[18p-Z29-1~9] 16.3 Bulk, thin-film and other silicon-based solar cells

Thu. Mar 18, 2021 1:30 PM - 4:00 PM Z29 (Z29)

Shinsuke Miyajima(Tokyo Tech)

1:45 PM - 2:00 PM

[18p-Z29-2] Effects of surface damages on current-modulating resistivity measurement of Si wafers

Kosuke Hara1, Yuka Tsukakoshi1, Keito Makise1, Keisuke Arimoto1, Yusuke Hoshi2, Satoru Matsushima3 (1.Univ. of Yamanashi, 2.Tokyo City Univ., 3.PSTS)

Keywords:current-modulating resistivity measurement, silicon, defect

電流変調抵抗率測定法(CMR法)は、簡便な手法ながら、太陽電池用結晶Siウェーハの品質評価が可能な優れた手法である。しかし、どのような欠陥がどのようにCMR曲線を変化させるのか分かっていない。そこで、除去が容易な表面ダメージに着目し、CMR曲線に与える影響を解明することを目的に研究を行った。表面エッチング前後の比較により、表面ダメージはCMR曲線の変動を大きくする効果があることが分かった。