[18p-Z29-1~9] 16.3 シリコン系太陽電池

[18p-Z29-2] 電流変調抵抗率測定におけるSiウェーハ表面ダメージの影響

〇原 康祐¹、塚越 由花¹、牧瀬 啓人¹、有元 圭介¹、星 裕介²、松島 悟³ (1.山梨大、2.東京都市大、3.PSTS)

キーワード：電流変調抵抗率測定、シリコン、結晶欠陥

電流変調抵抗率測定法(CMR法)は、簡便な手法ながら、太陽電池用結晶Siウェーハの品質評価が可能な優れた手法である。しかし、どのような欠陥がどのようにCMR曲線を変化させるのか分かっていない。そこで、除去が容易な表面ダメージに着目し、CMR曲線に与える影響を解明することを目的に研究を行った。表面エッチング前後の比較により、表面ダメージはCMR曲線の変動を大きくする効果があることが分かった。