[18p-Z29-1~9] 16.3 Bulk, thin-film and other silicon-based solar cells

[18p-Z29-8] Change in the leakage current of n-type front-emitter crystalline Si photovoltaic modules during PID test

〇Rongrong Zhao¹, Atsushi Masuda², Keisuke Ohdaira¹ (1.JAIST, 2.Niigata Univ.)

Keywords:PID, leakage current

n型フロントエミッタ型結晶Si太陽電池モジュールの暗状態および光照射下でのPID試験時のリーク電流の変化を調査した。リーク電流は、第一劣化時には増加し、第二劣化時には減少する傾向を示した。これは窒化Si膜中のKセンターからの電子放出と関係があると考えられる。暗状態と光照射下でのリーク電流を比べると、第一劣化時には暗状態の方が、第二劣化時には光照射の方が小さく、リーク電流の挙動がPIDの挙動に対応している傾向を確認した。