[18p-Z33-1~17] 21.1 Joint Session K "Wide bandgap oxide semiconductor materials and devices"

[18p-Z33-10] Property change of Al-doped ZnO films due to deposition position and annealing

〇Yasuji Yamada¹, Motonari Shoriki¹, Rei Sugiura¹, Shuhei Funaki¹ (1.Shimane Univ.)

Keywords:transparent conducting oxide, ZnO, crystalline defects

Al添加ZnO膜からのZn脱離によるアクセプター性欠陥の形成と，成膜時に導入された位置に依存する欠陥との関係を明らかにするために，成膜位置の異なる膜のアニール時間に対する電気特性の変化を調べた。キャリア密度と移動度の挙動の違いより，Zn脱離によるアクセプター性欠陥は移動度に影響しない，および移動度を支配する欠陥の一部は500℃のアニールによっても解消されない，と考えられる。