[18p-Z33-1~17] 21.1 Joint Session K "Wide bandgap oxide semiconductor materials and devices"

[18p-Z33-11] Critical Layer Thickness of (AlGa)₂O₃ Layers on b-Ga₂O₃ (010) Substrates

〇Hironori Okumura¹ (1.Univ. of Tsukuba)

Keywords:Ga2O3, MBE, Critical thickness

プラズマ援用分子線エピタキシ法を用いてβ型Ga₂O₃ (010)基板上に結晶成長した(AlGa)₂O₃層の臨界膜厚について調べた。本研究は、旭硝子財団の助成を受けて行われた。