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[18p-Z33-12] Crystal Orientation Dependence of α-Al2O3 Homoepitaxial Growth
Keywords:alumina, ultra-wide bandgap material, homoepitaxial growth
コランダム構造のα-Al2O3 (sapphire)は、約8.8 eVのバンドギャップを持つ固体材料であり、α-Ga2O3 との混晶によりバンドギャップ変調可能であることから、ヘテロ構造を用いたパワーデバイスや深紫外発光デバイスへの応用が期待されている。本研究では、分子線エピタキシー(MBE)法を用いたα-Al2O3ホモエピタキシャル成長の結晶方位依存性について報告する。