[18p-Z33-1~17] 21.1 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

[18p-Z33-10] Al添加ZnO薄膜のアニールによる特性変化と成膜位置の関係

〇山田 容士¹、正力 幹也¹、杉浦 怜¹、舩木 修平¹ (1.島根大総理工)

キーワード：透明導電膜、ZnO、結晶欠陥

Al添加ZnO膜からのZn脱離によるアクセプター性欠陥の形成と，成膜時に導入された位置に依存する欠陥との関係を明らかにするために，成膜位置の異なる膜のアニール時間に対する電気特性の変化を調べた。キャリア密度と移動度の挙動の違いより，Zn脱離によるアクセプター性欠陥は移動度に影響しない，および移動度を支配する欠陥の一部は500℃のアニールによっても解消されない，と考えられる。