[18p-Z33-1~17] 21.1 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

[18p-Z33-12] MBE法によるα-Al₂O₃ホモエピタキシャル成長の結晶方位依存性

〇神野 莉衣奈¹、奥村 宏典¹ (1.筑波大数理)

キーワード：酸化アルミニウムガリウム、超ワイドバンドギャップ材料、ホモエピタキシャル成長

コランダム構造のα-Al₂O₃ (sapphire)は、約8.8 eVのバンドギャップを持つ固体材料であり、α-Ga₂O₃ との混晶によりバンドギャップ変調可能であることから、ヘテロ構造を用いたパワーデバイスや深紫外発光デバイスへの応用が期待されている。本研究では、分子線エピタキシー(MBE)法を用いたα-Al₂O₃ホモエピタキシャル成長の結晶方位依存性について報告する。