[18p-Z33-1~17] 21.1 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

[18p-Z33-13] Ga₂O₃基板上へのNiGa₂O₄薄膜の形成

〇中込 真二¹、國分 義弘¹ (1.石巻専修大理工)

キーワード：酸化ガリウム、酸化ニッケル

我々は、高温下でNiO/β-Ga₂O₃ヘテロ界面にNiGa₂O₄が形成されることを報告している。今回ゾル-ゲル法によりNiGa₂O₄薄膜の形成を試み、膜を評価した。950℃処理によって(-201)β-Ga₂O₃基板上で(111)配向NiGa₂O₄が得られた。また、Ga₂O₃との接合により整流性も得られた。