[18p-Z33-1~17] 21.1 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

[18p-Z33-7] マグネトロンスパッタ成膜 ZnO 透明導電膜における Al, Ga, In 及び Ti ドーピング特性

〇野本 淳一¹、牧野 久雄²、土屋 哲男¹、山本 哲也² (1.産総研先進コーティング技術研究センター、2.高知工科大総研)

キーワード：透明導電膜、ドーパント、スパッタ

本研究では、各種ドーパント： Al、Ga、In、及び Ti を添加した ZnO (AZO、GZO、IZO、及び TZO) バルク層の配向秩序を、直流アークプラズマを用いる反応性プラズマ蒸着法により形成した極薄膜 ZnO 層により制御し、各種特性に対するドーパント効果を詳細に検討した。[J. Nomoto et al., J. Appl. Phys. 128 (2020) 145303.]