[19a-P04-1~9] 8 プラズマエレクトロニクス(ポスター)

[19a-P04-5] RF低圧テトラメチルシランプラズマにおける基板への入射ラジカルおよびイオンのガス流量依存性の計測

〇(M1C)石井 晃一¹、鈴木 駿¹、小田 昭紀¹、渡邉 泰章²、太田 貴之³、上坂 裕之⁴ (1.千葉工大工、2.イノベーションサイエンス、3.名城大理工、4.岐阜大工)

キーワード：プラズマCVD、テトラメチルシランプラズマ

Si-DLC膜は通常のDLC膜より低摩擦係数を示すことから近年研究が進められている。このSi-DLC成膜時には，テトラメチルシラン（以下TMS）を原料ガスとしたプラズマ支援CVD法が用いられている。しかし，Si-DLC成膜時における異なる不活性ガスで希釈されたTMSプラズマ特性の計測はあまり行われていない。
そこで本研究では，様々な不活性ガス（Ar，Ne，He）で希釈されたTMSガスを用いて低圧容量結合型RFプラズマを生成し，電極に入射するラジカル量およびイオン量の変化について計測したので，その結果について報告する。