[19a-P04-1~9] 8 Plasma Electronics(Poster)

[19a-P04-7] Morphology Control of MoS₂ by Chemical Vapor Deposition and Optimization of Sulfur Defect Density by Plasma Treatment

〇Shuya Asada¹, Akihisa Ogino¹ (1.Shizuoka Univ.)

Keywords:plasma, MoS2, thin film

二硫化モリブデン(MoS₂)は水素発生反応(HER)に優れることから水素生成触媒として期待されている。水素生成の反応は、MoS₂の活性箇所である最外層や端部で起こるため、単層MoS₂はバルク状MoS₂に比べてHERに適している。加えて、プラズマを照射することで効果的に活性な硫黄欠陥を形成することができる。本研究では熱CVD法において前駆体加熱温度を変化させて単層MoS₂を合成し、そこに水素プラズマを照射することで、硫黄欠陥を形成し評価した。