2021年第68回応用物理学会春季学術講演会

講演情報

一般セッション(ポスター講演)

8 プラズマエレクトロニクス » 8 プラズマエレクトロニクス(ポスター)

[19a-P04-1~9] 8 プラズマエレクトロニクス(ポスター)

2021年3月19日(金) 10:00 〜 10:50 P04 (ポスター)

10:00 〜 10:50

[19a-P04-7] CVD法によるMoS2の形態制御とプラズマ処理による硫黄欠陥密度の最適化

浅田 柊哉1、荻野 明久1 (1.静大院工)

キーワード:プラズマ、MoS2、薄膜

二硫化モリブデン(MoS2)は水素発生反応(HER)に優れることから水素生成触媒として期待されている。水素生成の反応は、MoS2の活性箇所である最外層や端部で起こるため、単層MoS2はバルク状MoS2に比べてHERに適している。加えて、プラズマを照射することで効果的に活性な硫黄欠陥を形成することができる。本研究では熱CVD法において前駆体加熱温度を変化させて単層MoS2を合成し、そこに水素プラズマを照射することで、硫黄欠陥を形成し評価した。