[19a-P04-1~9] 8 プラズマエレクトロニクス(ポスター)

[19a-P04-7] CVD法によるMoS₂の形態制御とプラズマ処理による硫黄欠陥密度の最適化

〇浅田 柊哉¹、荻野 明久¹ (1.静大院工)

キーワード：プラズマ、MoS2、薄膜

二硫化モリブデン(MoS₂)は水素発生反応(HER)に優れることから水素生成触媒として期待されている。水素生成の反応は、MoS₂の活性箇所である最外層や端部で起こるため、単層MoS₂はバルク状MoS₂に比べてHERに適している。加えて、プラズマを照射することで効果的に活性な硫黄欠陥を形成することができる。本研究では熱CVD法において前駆体加熱温度を変化させて単層MoS₂を合成し、そこに水素プラズマを照射することで、硫黄欠陥を形成し評価した。