[19a-Z13-1~8] 6.1 Ferroelectric thin films

△ [19a-Z13-5] Piezoelectric properties of (Bi,K)TiO₃ films deposited at less than 100°C

〇Yoshiharu Ito¹, Akinori Tateyama¹, Rurika Kubota¹, Takahisa Shiraishi¹, Minoru Kurosawa¹, Hiroshi Funakubo¹ (1.Tokyo Tech.)

Keywords:Ferroelectricity, Thin films, Hydrothermal synthesis

水熱合成法を用いて(100)_cSrRuO₃//(100)SrTiO₃基板上に作製した (Bi,K)TiO₃膜は、(001)分極軸配向を有し、分極軸配向Pb(Zr,Ti)O₃と同程度の高い残留分極（P_r = 85 μC/cm）を有することを明らかにした。さらに作製温度を100ºCまで低下させても、圧電特性がほとんど変化しないことを報告してきた。さらなる低温化が可能になると、多種のポリマーシートなどのフレキシブル基材上への製膜の可能性が広がり、合成圧力が大気圧程度まで減少できる可能性が出てくる。本研究では、さらに低温での (Bi,K)TiO₃膜の作製および電気特性評価を行った。