[19a-Z17-1~8] 8.3 Plasma nanotechnology

△ [19a-Z17-6] Atomically etching graphene using O ³P radical generated in remote O₂ plasma

〇Liugang Hu¹, Takayoshi Tsutsumi², Shih-Nan Hsiao², Hiroki Kondo², Kenji Ishikawa², Makoto Sekine², Masaru Hori² (1.Nagoya Univ. Eng., 2.Nagoya Univ. Ctr. Low Temp. Plasma)

Keywords:atomic layer of etching, etching, graphene

グラフェンのエッジの選択反応を実現するため、エッジ部とプレーン部でのエッチング反応確率の選択性を解明するために、酸素ラジカルの絶対密度測定から、酸素ラジカルのグラフェンエッチング反応確率を調べた。