[19a-Z24-1~10] 13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・MEMS・装置技術

[19a-Z24-7] 深掘りBoschエッチングプロセスにおけるマスク材料依存性

〇田中 宏幸¹、野沢 善幸^2,3、速水 利泰^2,3、クンプアン ソマワン^1,2、原 史朗^1,2 (1.産総研、2.ミニマルファブ、3.SPPテクノロジーズ)

キーワード：ボッシュプロセス、ミニマル、深掘りエッチング

ボッシュプロセスで深掘りエッチングを行う際、長時間プラズマに十分な耐性を持つマスク材料を使用することが重要である。通常、耐プラズマ性の高い厚膜レジストを用いるが、Alなどのメタルマスクも有効である。ところがエッチング特性を調べると、同一エッチング条件で処理した場合であっても、マスク材料によりエッチング進行の仕方に大きな差異が見られた。これらのエッチングメカニズムについて解析を行ったので報告する。