[19a-Z25-1~8] 13.7 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

[19a-Z25-5] 高濃度GeドープGaN基板によるp-n接合ダイオードの低オン抵抗化

〇太田 博¹、浅井 直美¹、望月 和浩¹、吉田 丈洋²、堀切 文正²、成田 好伸²、三島 友義¹ (1.法政大学、2.サイオクス)

キーワード：p-nダイオード、GeドープGaN基板、低オン抵抗化

高濃度GeドープGaN基板を用いたp-n接合ダイオードのオン抵抗低減効果について評価を行った。その結果、通常のSiドープ(2×10¹⁸ cm^-3)基板に比べ、Geドープ(6×10¹⁸ cm^-3)基板ではオン抵抗の大幅な低減が見られた。同様の現象は高濃度OドープOVPE基板上p-nダイオードでも観測されており、高濃度ドープ基板の有用性を確認する結果となった。