[19a-Z25-1~8] 13.7 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

[19a-Z25-7] 縦型GaNフォトトランジスタの特性評価

〇和田 竜垂¹、白石 舞翔¹、宮崎 泰成¹、大森 雅登¹ (1.大分大)

キーワード：窒化ガリウム、フォトトランジスタ、縦型

GaNは紫外光検出器としても活用され、最近ではnpnフォトトランジスタ構造を利用した高感度な紫外光検出器の研究も進められている。一方、GaN自立基板の高品質化と大口径化が急速に発展してきたことで低転位のGaNホモエピタキシャル基板を利用した高性能な縦型デバイスの作製が可能となってきている。本研究ではこの自立GaN基板を用いてnpnフォトトランジスタ構造を作製し、紫外光照射による電気特性を評価した。