[19a-Z27-1~9] 15.4 III-V-group nitride crystals

△ [19a-Z27-5] Depth-resolved tomographic analysis on thick AlN films grown on NPSS using nanobeam X-ray diffraction

〇Nozomi Yamamoto¹, Yusuke Hayashi¹, Takeaki Hamachi¹, Yuta Nakanishi¹, Tetsuya Tohei¹, Kazushi Sumitani², Yasuhiko Imai², Shigeru Kimura², Kanako Shojiki³, Hideto Miyake^3,4, Akira Sakai¹ (1.Grad. Sch. Eng. Sci., Osaka Univ., 2.JASRI, 3.Grad. Sch. Eng., 4.Grad. Sch. RIS, Mie Univ)

Keywords:AlN, nanoXRD, NPSS

深紫外LEDは、AlNの結晶性や光取り出し効率（LEE）が課題である。先行研究では、ナノパターン加工サファイア基板（NPSS）によるLEE向上を目的として、スパッタ成長（sp-AlN）とface-to-faceアニール（FFA）を組み合わせたAlNテンプレートが作製され、高い結晶性が得られている。一方で、形成されたボイドが結晶性や歪に与える影響は十分に解析されていない。本研究では、放射光施設SPring-8のナノビームX線回折光学系において深さ分解結晶評価手法を用いることで、sp-AlN+FFA/NPSS上AlNに特有な3次元構造変化を測定することに初めて成功した。