[19a-Z27-1~9] 15.4 III-V族窒化物結晶

[19a-Z27-6] 陽電子消滅によるスパッタ堆積AlN薄膜中の空孔型欠陥検出

〇上殿 明良¹、正直 花奈子²、上杉 謙次郎³、秩父 重英⁴、石橋 章司⁵、Dickmann M.⁶、Egger W.⁶、Hugenschmidt C.⁷、三宅 秀人^2,8 (1.筑波大数物、2.三重大院工、3.三重大地域創生、4.東北大多元研、5.産総研、6.UniBwM、7.TUM、8.三重大院地域イノベ)

キーワード：AlN、欠陥、陽電子消滅

陽電子消滅は非破壊で感度良く固体中の空孔型欠陥を検出する手法である．エネルギー可変単色陽電子ビームラインを用いてサファイア基板上にスパッタ法で作製したAlN薄膜中の空孔型欠陥の焼鈍特性を評価した．この結果，1300℃焼鈍により空孔クラスターが膜中に導入されることが分かった．また，1700℃焼鈍後においても，Al空孔と酸素の複合体が残存する．講演では焼鈍による欠陥導入機構について詳しく述べる．