[19a-Z29-1~9] 15.7 結晶評価，不純物・結晶欠陥

[19a-Z29-6] シリコンウェーハ中炭素関連結晶欠陥のパワーデバイス特性への影響

〇佐々木 駿¹、三次 伯知¹、佐俣 秀一¹、附田 正則²、大村 一郎² (1.株式会社 SUMCO、2.九州工業大学)

キーワード：シリコン、パワー半導体デバイス、照射欠陥

シリコンウェーハ中の炭素不純物は半導体デバイスの製造工程での高エネルギー粒子線照射により、C_iO_i等の炭素関連結晶欠陥を形成し、パワーデバイス特性に影響する。しかし、炭素関連結晶欠陥の熱処理挙動や、デバイス特性に寄与する欠陥種は明らかではない。そこで、パワーデバイス向けウェーハを用いてPiNダイオードを作製し、粒子線照射と回復熱処理を行い，ウェーハ中の欠陥の熱処理挙動やデバイス特性に対する影響を調査した。