[19a-Z31-1~11] 17.3 層状物質

[19a-Z31-10] Vertically aligned MoS2 薄膜を用いたトランジスタ型液体センサデバイス試作

〇金 胄男^1,2、船津 岳伸¹、杉山 睦^1,2 (1.東京理科大学 理工、2.東京理科大学 総研)

キーワード：MoS2、Vertical aligned、液体センサー

層構造を持つMoS2は一層の厚さが数nm にも関わらず優れた移動度や化学的な安定性を持つため、液体センサデバイス等への応用が期待されている。特に、MoS2薄膜の硫黄空孔への分子の吸着によるセンサの感度向上が報告されている。基板に対して垂直方向に成長させたMoS2(Vertically aligned MoS2: V-MoS2) 薄膜はMoS2層が基板に対して平行方向に成長させたMoS2(Parallel aligned MoS2:P-MoS2)薄膜より、表面に高い硫黄空孔密度を有するため、同様に感度向上が予測される。本研究ではP-MoS2とV-MoS2を用いたトランジスタ型液体センサの作製及び感度特性の検討を行った。