[19a-Z33-1~12] 21.1 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

[19a-Z33-6] (001)β-Ga₂O₃上に形成した原子層堆積Al₂O₃に対する成膜後熱処理効果

〇平岩 篤^1,4、堀川 清貴²、川原田 洋^1,2,3、加渡 幹尚⁵、旦野 克典⁵ (1.早大ナノ・ライフ、2.早大理工、3.早大材研、4.名大未来研、5.トヨタ自動車)

キーワード：Al2O3、原子層堆積、アニール

(001)β-Ga₂O₃上に形成した原子層堆積Al₂O₃膜に成膜後アニール（PDA）を行うとバイアス安定性が低下し、PDA温度変化に伴う変化も単調でない。これらは、PDA温度とともにバイアス安定性が単調に向上するGaN上形成膜と対照的である。リーク電流はPDAによる結晶化とともに急激に減少するが、その閾値温度はGaN上より約100ºC低い。この電流減少が主にエネルギー障壁の増加に起因することを空間電荷制限電界放出モデルを用いた解析により明らかにした。