[19p-P02-1~22] 17 ナノカーボン(ポスター)

[19p-P02-18] グラフェントランジスタの低ダメージ作製プロセスの検討

〇渡邊 一世¹、吹留 博一² (1.情報通信研究機構、2.東北大電気通信研究所)

キーワード：グラフェントランジスタ、低ダメージプロセス、微細ゲート構造

III-V族化合物半導体であるInGaAs系HEMT（ゲート長（L_g）50 nm以下で最大発振周波数（f_max）550 GHz）の作製プロセスを元に、微細ゲート電極を有するグラフェントランジスタの低ダメージ作製プロセスを検討した。