[19p-P03-1~3] 15.3 III-V族エピタキシャル結晶・エピタキシーの基礎

[19p-P03-2] メタモルフィックGaInAs/GaAs上の1.5 µm帯高均一InAs量子ドットの成長

〇渡邉 克之¹、權 晋寛¹、角田 雅弘¹、詹 文博¹、荒川 泰彦¹ (1.東大ナノ量子機構)

キーワード：量子ドット、分子線エピタキシー、メタモルフィック

メタモルフィックGaInAs/GaAs上の1.5 µm帯InAs量子ドットについて高品質化とサイズ均一化に取り組んだ。前者についてIn組成セットバックバッファ構造を用いる手法が、後者について量子ドット直下にGaAs層挿入する手法が、ともに有用であることを見出した。