15:00 〜 15:50 [19p-P03-2] メタモルフィックGaInAs/GaAs上の1.5 µm帯高均一InAs量子ドットの成長 〇渡邉 克之1、權 晋寛1、角田 雅弘1、詹 文博1、荒川 泰彦1 (1.東大ナノ量子機構)