[19p-P06-1~9] 13.7 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

[19p-P06-2] Pt/ALD-Al₂O₃/AlGaN/GaN MIS-HEMTの電気特性に及ぼすフォーミングガスアニールの効果Ⅲ

〇久保 俊晴¹、吉田 信輝¹、江川 孝志¹ (1.名工大)

キーワード：GaN、MIS-HEMT、FG-PMA

これまでにPdやPtを用いたPt(Pd)/Al₂O₃/AlGaN/GaN MIS-HEMTに対し、フォーミングガス(FG)雰囲気中でゲート金属形成後の熱処理(PMA)を行う場合、動的な閾値シフト(⊿V_th)の低減が比較低温のアニール温度で得られることを報告した。本研究では、FG-PMA温度依存性の詳細およびSiO₂/Al₂O₃/AlGaN/GaN MIS-HEMTのデバイス特性を報告する。