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[19p-P06-3] 水素イオン注入n+pGaNのo.88 eV正孔トラップに対する順電流通電効果
キーワード:p形窒化ガリウム、トラップ
MOVPE成長GaNでは、0.88 eV 正孔トラップ(Hd)が主トラップとして観測され、窒素位置炭素(CN)と同定されている。今回、GaN基板上n+p GaNに水素イオン注入した試料を用い、DLTS測定によりp-GaNのHdトラップに対する順電流通電について検討した。注入後、HdトラップDLTS信号が減少した。また、200~340 Kでの1000 s通電により、Hd信号が増加することが分かった。注入後のHdトラップの減少は、注入欠陥と炭素の複合体形成を示唆している。順電流通電効果の機構解明とともに、どのような複合体の形成が考えられるかの検討を行っている。