[19p-P06-1~9] 13.7 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

[19p-P06-5] 高Al組成AlGaN薄膜からの熱電子放出特性における酸素の影響

〇藤本 拓矢¹、木村 重哉²、吉田 学史²、宮崎 久生²、荻野 明久¹ (1.静大院工、2.(株)東芝)

キーワード：AlGaN、熱電子放出、酸素

AlGaN熱電子放出特性の向上には、Al組成比を高くして仕事関数低減を低減するとともに、表面へ酸素およびアルカリ金属を配置して電気双極子を形成し電子親和力を下げることが有効である。一方で、Al空孔と酸素の複合体は結晶中に深いドナー準位を形成されることが報告されており、n型AlGaNのSiドープの不活性化が懸念される。本研究では、AlGaN薄膜内および表面における酸素原子が熱電子放出特性に及ぼす影響を検討する。