[19p-P06-1~9] 13.7 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

[19p-P06-6] 四元混晶AlGaInNエミッタと量子井戸を組込んだベースを特徴とする
GaN npn HBTのシミュレーション解析

〇二階 祐宇¹、飯田 悠介¹、間瀬 晃¹、江川 孝志¹、三好 実人¹ (1.名工大)

キーワード：ヘテロ接合バイポーラトランジスタ、シミュレーション

四元混晶AlGaInNをエミッタ層に備えたGaNベースのHBTという新しいデバイスコンセプトを考案。高周波無線通信分野への応用が有望である。
デバイス実現のためには、抵抗率の低い埋め込みp型導電層を形成することが不可欠であり、我々はp-GaNベース層にGaInN量子井戸（QW）を挿入することを特徴とするAlGaInN / GaN npnHBTを新たに提案する。本報告はこの新構造に関するデバイスシミュレーションの結果を提示する。