[19p-Z07-1~9] 3.7 レーザープロセシング

[19p-Z07-2] 塗布膜を用いたレーザードーピング法によるシリコン極浅高濃度ドーピング層の形成

〇倉重 貴行¹、水谷 彬^1,2、中村 大輔¹、池上 浩^1,2、片山 慶太¹ (1.九大シス情、2.九大ギガフォトン共同部門)

キーワード：レーザードーピング

本研究では表層5 nm以下のドーピングを行うにあたりSiに対する吸収長が4.7 nmである波長266 nmの光源を用いた．我々はリン酸溶液やアルミナゾルといった不純物溶液をc-Siに塗布し、エキシマレーザーを照射することで固相-液相相転移を経た瞬時的な高濃度均一ドーピング達成を報告してきた．本講演では、我々は単結晶シリコンに対して不純物溶液塗布レーザードーピングを行い、極浅高濃度ドーピング層の形成を試みたので報告する．