2021年第68回応用物理学会春季学術講演会

講演情報

一般セッション(口頭講演)

6 薄膜・表面 » 6.1 強誘電体薄膜

[19p-Z13-1~14] 6.1 強誘電体薄膜

2021年3月19日(金) 13:30 〜 17:15 Z13 (Z13)

小林 健(産総研)、中嶋 誠二(兵庫県立大)

16:00 〜 16:15

[19p-Z13-10] 種々の格子定数を有するSr(Zr, Ti)O3バッファー層上に製膜した
PbTiO3薄膜のドメイン構造に関する検討

森川 友秀1、〇小寺 正徳2、清水 荘雄3、江原 祥隆4、舟窪 浩1,2 (1.東工大物質理工、2.東工大元素、3.物材研、4.防衛大)

キーワード:強誘電体、薄膜、ドメイン構造

本研究ではSr(Zr, Ti)O3固溶体をバッファー層として用いることを検討した。SZTOはその組成によって立方晶、正方晶あるいは直方晶の構造をとるがその長軸と短軸の格子定数の比が広い組成領域で1.003以下であるため擬立方晶バッファー層(0.39 nm < d < 0.41 nm)として機能するのではないかと考えた。種々の組成を有するSr(Zr, Ti)O3をバッファー層として用いることで格子定数を連続的に変化させ、精密に歪量を制御することができると期待される。本発表ではバッファー層をSrTiO3基板、LSAT基板上に作製した後、PbTiO3を製膜し、ドメイン構造に与える影響を考察する。