[19p-Z13-1~14] 6.1 Ferroelectric thin films

[19p-Z13-3] Epitaxial growth of Al_1-xSc_xN thin films on Si substrates using TiN buffer layer

〇Kohei Miyaji¹, Mikio Murase¹, Takeshi Yoshimura¹, Norifumi Fujimura¹ (1.Osaka Pref. Univ.)

Keywords:AlScN, epitaxial

近年、Al_1-xSc_xN(AlScN)薄膜において、圧電定数の増加、強誘電性の発現が報告され、注目されている。AlScN薄膜は大きな内部応力を持つことが知られており、また先行研究の殆どが配向膜に関するものである。エピタキシャル薄膜では、格子歪により応力制御できることが知られているが、AlScN薄膜での報告は少ない。そこで本研究では、RFマグネトロンスパッタ法によりAlScNの(111)Si上へのエピタキシャル成長に取り組んだ。