[19p-Z13-1~14] 6.1 Ferroelectric thin films

△ [19p-Z13-6] Fabrication and Characteristics of MEMS Unimorph Cantilever with Y₂O₃-HfO₂ Ferroelectric Thin Film

〇Ryo Ebihara¹, Shinya Yoshida¹, Reijirou Shimura², Hiroshi Funakubo², Shuji Tanaka¹ (1.Tohoku Univ., 2.Tokyo Tech. SMCT)

Keywords:piezoelectric material, HfO2 ferroelectric, Micro Electro Mechanical Systems

近年、HfO₂系強誘電性薄膜の圧電定数は、AlNの2～3倍に達すると見積もられた。さらに、Y添加によって厚膜化の可能性も示されたことから、微小電気機械システム（MEMS）への応用が期待されている。しかし、この薄膜の微細加工性や圧電特性などの基礎検討は十分にされていない。本研究では、Y添加HfO₂薄膜（膜厚約450nm）を搭載したMEMSユニモルフカンチレバーを試作し、その圧電特性を評価した。