[19p-Z15-1~11] 6.4 薄膜新材料

[19p-Z15-9] 3元系亜鉛窒化物半導体YZn₃N₃の第一原理計算による物性予測とスパッタリング薄膜の作製

〇菊地 諒介^1,2、中村 透¹、藏渕 孝浩¹、金子 泰¹、熊谷 悠²、大場 史康² (1.パナソニック、2.東工大)

キーワード：窒化物、第一原理計算、スパッタリング

無毒かつ豊富に存在する元素で構成された3元系亜鉛窒化物は、優れた半導体特性を有する半導体として注目を集めている。本研究では、第一原理計算により、YZn₃N₃の最安定の結晶構造を探索し、その半導体物性を調べた。その結果、YZn₃N₃はScAl₃C₃型構造が最安定であり、直接遷移型のバンド構造と1.80 eVのバンドギャップを有することを明らかにした。さらに、共スパッタリング法により、計算と合致した結晶構造を有するScAl₃C₃型YZn₃N₃の成膜に成功した。