[19p-Z22-1~16] 3.13 半導体光デバイス

[19p-Z22-5] プロトン注入による3次元的抵抗・吸収制御型高効率VCSELの評価Ⅱ

〇宮本 智之¹、坂元 駿斗¹ (1.東工大未来研)

キーワード：半導体レーザ、面発光レーザ、効率

VCSELの電流狭窄（電気抵抗制御）にプロトン注入が利用されるが，そのキャリア不活化を光吸収制御にも利用し，簡素なプロセスで光と電気の両方を3次元的に制御する構成を提案している．前回までに，初期的な実験結果としてスロープ効率とPCEの改善を報告したが，今回，より一般的なウェハ構造のデバイスを製作して改めて詳細に特性を評価し，スロープ効率とPCEの改善を確認したので報告する．