[19p-Z25-1~14] 13.7 Compound and power electron devices and process technology

△ [19p-Z25-13] Fabrication of diamond/Si heterojunction diodes by surface activated bonding

〇(DC)Yota Uehigashi¹, Shinya Ohmagari², Hitoshi Umezawa², Hideaki Yamada², Jianbo Liang¹, Naoteru Shigekawa¹ (1.Osaka City Univ., 2.AIST)

Keywords:surface activated bonding, diamond/Si heterojunction diodes

我々は、表面活性化接合(SAB)法を用いて p 型ダイヤモンドと異種半導体を直接接合することにより pn 接合、更には pn ダイオードの実現を目指している。本研究では、SAB 法により p 型ダイヤモンドと Silicon-on-insulator(SOI) 基板を直接接合した。Si 基板除去、電極形成を経て、Si 層/ダイヤモンド接合からなるダイオードを作製し、ダイオード特性を実証した。