[19p-Z25-1~14] 13.7 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

[19p-Z25-2] i線ステッパーを用いた150 nmゲートAlGaN/GaN HEMTの作製

〇安藤 裕二¹、高橋 英匡¹、分島 彰男³、須田 淳^1,2 (1.名大院工、2.名大未来研、3.名工大)

キーワード：GaN、HEMT