13:15 〜 13:30 [19p-Z25-2] i線ステッパーを用いた150 nmゲートAlGaN/GaN HEMTの作製 〇安藤 裕二1、高橋 英匡1、分島 彰男3、須田 淳1,2 (1.名大院工、2.名大未来研、3.名工大)