[19p-Z25-1~14] 13.7 Compound and power electron devices and process technology

△ [19p-Z25-6] Growth and characterization of Al_0.4Ga_0.6N channel 2DEG heterostructures with quaternary AlGaInN barrier layers

〇Sakura Tanaka¹, Aiyoshi Inoue¹, Kosuke Yamamoto¹, Takashi Egawa¹, Makoto Miyoshi¹ (1.NIT)

Keywords:Group-III nitrides, AlGaN-channel HFET, High breakdown voltage

AlGaNチャネルHFETは、その非常に高いOFF耐圧から次世代のパワーデバイスとして有望である。我々は、チャネル層組成をAl_0.2Ga_0.8Nとした構成の中で、バリア層に格子歪みが制御された四元混晶AlGaInNを用いることで、優れた2DEG特性・表面平坦性・熱的安定性を有するヘテロ構造が形成でき、HFETのON特性向上が図れた事を報告している。本研究では、四元混晶AlGaInNバリア層を備えるAl_0.4Ga_0.6Nチャネル2DEGヘテロ構造の作製とその特性評価を試みたので報告する。