[19p-Z25-1~14] 13.7 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

[19p-Z25-9] エピスケーリングを施したGaInSb-HEMTの特性評価と遅延時間解析

〇岸本 尚之¹、礒前 雄人¹、林 拓也¹、國澤 宗真¹、渡邊 一世^2,1、山下 良美²、町田 龍人²、原 紳介²、笠松 章史²、遠藤 聡¹、藤代 博記¹ (1.東理大基礎工、2.情報通信研究機構)

キーワード：III-V族化合物半導体、高電子移動度トランジスタ

本研究では、Al_0.40In_0.60Sb/Ga_0.22In_0.78Sb-HEMTのエピ結晶におけるd_c及びd_s短縮によるゲート・チャネル間距離のスケーリング効果について、DC・RF特性評価及び遅延時間解析によって明らかにした。