[19p-Z27-1~14] 15.4 III-V族窒化物結晶

△ [19p-Z27-3] AlNテンプレート上高温AlN結晶成長

〇(M1)津田 翔太²、青野 零弥²、揚田 侑哉²、宮川 拓己²、平山 秀樹^1,3、高島 祐介²、直井 美貴^1,2、永松 謙太郎^1,2 (1.徳島大pLED研、2.徳島大理工、3.理研)

キーワード：MOVPE、AlN、高温成長

一般にエピタキシャル成長では、下地の転位密度を引き継いで成長されるため、最下層のAlNの結晶性が重要となる。一方で、AlGaNの結晶成長では、転位の曲がり角が界面での応力により決定されるため歪みが大きい場合に転位がループを形成しやすいことが報告されている。
本研究ではサファイア基板上AlNテンプレートに成長温度を1200℃から1650℃まで5種類のAlNを成長し、比較を行った。結果として1400℃を超える成長温度では転位の低減効果が見られた。