[19p-Z27-1~14] 15.4 III-V-group nitride crystals

[19p-Z27-4] Self-organized growth of NbN nanostructures on atomically flat AlN

〇Atsushi Kobayashi¹, Kohei Ueno¹, Hiroshi Fujioka¹ (1.The Univ. of Tokyo)

Keywords:superconductor, nitride semiconductor

古典コンピュータの性能を凌駕する量子情報処理や，安全性の高い通信を実現する量子通信が注目を集めており，超伝導エレクトロニクスによる量子制御技術も急速に発展している．興味深いことに，超伝導単一光子検出器に用いられるNaCl型(δ-)NbNの(111)面は，窒化物半導体のc面と格子整合する．高品質エピタキシャルNbNが窒化物LEDやHEMTの上に成長できれば，超伝導体と半導体を集積した新規量子デバイスが作製できる．しかしながら，窒化物半導体上にエピタキシャル成長されたNbN薄膜の基礎特性については不明な点が多い．今回，原子レベルで平坦なAlN上にコヒーレントに成長したNbNが周期的なナノ構造を形成することを見出したので，詳細を報告する．