2021年第68回応用物理学会春季学術講演会

講演情報

一般セッション(口頭講演)

15 結晶工学 » 15.4 III-V族窒化物結晶

[19p-Z27-1~14] 15.4 III-V族窒化物結晶

2021年3月19日(金) 13:00 〜 17:00 Z27 (Z27)

関口 寛人(豊橋技科大)、出浦 桃子(東大)、上杉 謙次郎(三重大)

13:45 〜 14:00

[19p-Z27-4] AlN原子ステップを利用したNbNナノ構造の自己組織化

小林 篤1、上野 耕平1、藤岡 洋1 (1.東大生研)

キーワード:超伝導、窒化物半導体

古典コンピュータの性能を凌駕する量子情報処理や,安全性の高い通信を実現する量子通信が注目を集めており,超伝導エレクトロニクスによる量子制御技術も急速に発展している.興味深いことに,超伝導単一光子検出器に用いられるNaCl型(δ-)NbNの(111)面は,窒化物半導体のc面と格子整合する.高品質エピタキシャルNbNが窒化物LEDやHEMTの上に成長できれば,超伝導体と半導体を集積した新規量子デバイスが作製できる.しかしながら,窒化物半導体上にエピタキシャル成長されたNbN薄膜の基礎特性については不明な点が多い.今回,原子レベルで平坦なAlN上にコヒーレントに成長したNbNが周期的なナノ構造を形成することを見出したので,詳細を報告する.