[19p-Z29-1~13] 15.7 結晶評価，不純物・結晶欠陥

[19p-Z29-2] InGaN-LED動作時の禁制帯内励起光照射による非発光再結合準位の検出

〇(M1)千代田 夏樹¹、鎌田 憲彦¹、矢口 裕之¹ (1.埼大工)

キーワード：欠陥準位、非発光再結合

窒化物半導体材料を用いた半導体デバイスはコスト面での優位性から、主にサファイア基板上でのエピタキシャル成長によって作られる。しかし、格子定数のミスマッチにより格子欠陥が発生しやすく、LED等の発光デバイスにおいてはこれが非発光再結合（NRR）準位としてはたらき発光効率を下げる原因となる。デバイスの効率向上にはNRR準位の検出・評価が重要であるため、UV-LED¹⁾に続いて二波長励起PL法の原理に基づきInGaN-LEDでのNRR準位の検出を試みた。