[19p-Z33-1~16] 21.1 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

△ [19p-Z33-12] p型半導体スズニオブ酸化物におけるスズ周辺の酸素欠陥生成

〇三溝 朱音¹、菊地 直人²、簔原 誠人²、阪東 恭子²、相浦 義弘²、壬生 攻³、西尾 圭史¹ (1.東理大、2.産総研、3.名工大)

キーワード：p型酸化物、酸素欠陥生成、結晶構造