[19p-Z33-1~16] 21.1 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

△ [19p-Z33-5] イオン注入されたアモルファスInGaZnO膜の抵抗値熱安定性

〇安田 圭佑¹、宇井 利昌¹、立道 潤一¹ (1.日新イオン機器)

キーワード：InGaZnO、イオン注入、熱安定性